EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
usb pd3.1 epr
usb pd3.1 epr 文章 進(jìn)入usb pd3.1 epr技術(shù)社區
特斯拉推送 FSD v12.5.1 更新,變道更早、更自然
- 7 月 28 日消息,特斯拉開(kāi)始向用戶(hù)推送 FSD(Supervised)v12.5.1 更新,據悉該版本包含多項改進(jìn),包括將城市和高速公路駕駛功能整合,并首次支持 Cybertruck 車(chē)型。特斯拉FSD(Supervised)v12.5.1版本于周五開(kāi)始向部分用戶(hù)的車(chē)輛推送,據 Not a Tesla App 平臺顯示,該更新同 2024.20.15 軟件一起推送。此前數周,馬斯克曾多次預告該版本的部分功能,新版本的一大亮點(diǎn)是更早、更自然的車(chē)道變更。該版本備受期待,因為馬斯克曾在 5 月份表示
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 FSD v12.5.1 變道 Cybertruck 輔助駕駛
英特爾AI解決方案為最新Meta Llama 3.1模型提供加速
- 為了推動(dòng)“讓AI無(wú)處不在”的愿景,英特爾在打造AI軟件生態(tài)方面持續投入,并為行業(yè)內一系列全新AI模型提供針對英特爾AI硬件的軟件優(yōu)化。今日,英特爾宣布公司橫跨數據中心、邊緣以及客戶(hù)端AI產(chǎn)品已面向Meta最新推出的大語(yǔ)言模型(LLM)Llama 3.1進(jìn)行優(yōu)化,并公布了一系列性能數據。繼今年4月推出Llama 3之后,Meta于7月24日正式發(fā)布了其功能更強大的AI大模型Llama 3.1。Llama 3.1涵蓋多個(gè)不同規模及功能的全新模型,其中包括目前可獲取的、最大的開(kāi)放基礎模型—— Llama 3.1
- 關(guān)鍵字: 英特爾 AI解決方案 Meta Llama 3.1
實(shí)測藍牙Mesh 1.1性能更新 深入理解并徹底優(yōu)化
- 藍牙Mesh 1.1版本中引入了遠程配置和無(wú)線(xiàn)裝置韌體更新(OTA DFU)的功能。本文將透過(guò)廣泛部署基于Silicon Labs(芯科科技)的xG24和xG21無(wú)線(xiàn)SoC開(kāi)發(fā)板的節點(diǎn)并組成網(wǎng)絡(luò ),來(lái)分析在多個(gè)測試節點(diǎn)上進(jìn)行的一系列實(shí)驗結果,進(jìn)一步探索藍牙Mesh 1.1網(wǎng)絡(luò )的性能,包括網(wǎng)絡(luò )等待時(shí)間、遠程配置和OTA、DFU性能的詳細測試設置和結果等實(shí)用資料。測試網(wǎng)絡(luò )及條件隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )中節點(diǎn)數量的增加或數據報負載的增加,延遲也會(huì )相應增加。相比于有效負載,網(wǎng)絡(luò )對延遲的影響較小,但后者可能導致延遲大幅增加。測試環(huán)境
- 關(guān)鍵字: Silicon Labs 藍牙Mesh 1.1
好玩的項目|使用微控制器 PIC16F1459 構建 DIP 開(kāi)關(guān) USB U盤(pán)
- 今天給大家分享我在github上看到的一個(gè)有意思的項目:使用微控制器 PIC16F1459 構建 DIP 開(kāi)關(guān) USB U盤(pán)。(附帶電路原理圖,PCB布局設計,原始應用程序。)主要是用撥片開(kāi)關(guān)來(lái)進(jìn)行配置設備,只需要撥動(dòng)紅色開(kāi)關(guān)就可以輕松配置文件。不需要編輯 XML 和 JSON 文件來(lái)存儲硬件或軟件的配置設置。這個(gè)項目分享給大家,步驟講解得很詳細,如果感興趣的可以動(dòng)手試試。先放上成品圖。DIP 開(kāi)關(guān)插電腦上圖DIP 開(kāi)關(guān) U 盤(pán)的后視圖和前視圖(顏值還挺高的)一、元件選擇作者總共設計制作了兩種不同版本的D
- 關(guān)鍵字: MCU PIC16F1459 USB U盤(pán)
大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于意法半導體(ST)ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來(lái),快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng )新升級,每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來(lái)革命性變革。特別是USB PD3.1快充標準的引入,更是為該行業(yè)的發(fā)展樹(shù)立了新的里程碑。該標準不僅將最大充電功率提升至240W,同時(shí)新增多組固定和可調輸出電壓檔位,可為各種電子設備提供更加靈活
- 關(guān)鍵字: 友尚集團 ST 140W USB PD3.1 快充方案
基于ST VIPERGAN100的100W USB電源輸送適配器參考設計方案
- EVLVIPGAN100PD是一個(gè) 100 W 的QR 模式的反激適配器電源,具有USB Type-CTM PD的高效能參考設計方案,它是一款基于 VIPERGAN100 的隔離式電源是一款新型離線(xiàn)高壓轉換器,具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶體管,專(zhuān)為準諧振反激式轉換器設計,能夠在寬范圍內提供高達 100 W 的輸出功率。該方案具有:峰值效率 > 92%,符合IEC55022 B級傳導電磁干擾,有減少的EMI濾波器。評估板是使用意法半導體公司的新型先進(jìn)離線(xiàn)切換器VI
- 關(guān)鍵字: ST VIPERGAN100 USB 電源輸送適配器
三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息,三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申,其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利,預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外,三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新,積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù),實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認,其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
- 關(guān)鍵字: 三星 1.4nm 晶圓代工
業(yè)內首發(fā)單芯片 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán),宇瞻宣布參加 2024 臺北國際電腦展
- IT之家 5 月 31 日消息,存儲模組企業(yè)宇瞻昨日宣布將在 6 月 4 日開(kāi)幕的 2024 臺北國際電腦展上以“智慧引領(lǐng) 前瞻未來(lái)”為主軸,帶來(lái)系列存儲新品。宇瞻將在展會(huì )上展出全球首款采用單芯片控制方案的 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。根據IT之家以往報道,群聯(lián)在 CES 2024 上就展示了符合宇瞻新聞稿中描述的單芯片主控 U21,該主控支持至大 8TB 容量,順序讀寫(xiě)均可達 USB4 滿(mǎn)速。宇瞻還將帶來(lái)原生 DDR5-6400 的 DDR5 U-DIMM / SO-DIMM
- 關(guān)鍵字: 存儲 USB 4 宇瞻 臺北國際電腦展
Diodes公司推出10Gbps符合汽車(chē)規格的交叉開(kāi)關(guān)可簡(jiǎn)化車(chē)內USB-C連接功能
- Diodes 公司 (Diodes)近日推出10Gbps符合汽車(chē)規格的交叉開(kāi)關(guān)(Crossbar Switch),為先進(jìn)的車(chē)內連接功能帶來(lái)更多便利與性能。Diodes 全新開(kāi)關(guān)PI3USB31532Q的設計可通過(guò) USB Type-C? 連接器實(shí)現USB 3.2 與 DisplayPort? 2.1 信號路由,確保信號高度完整性,相較于傳統交叉多路復用器與 ReDriver? 信號調節器更省電。此款交叉開(kāi)關(guān)適用于汽車(chē)后排娛樂(lè )系統與配備高分辨率大型顯示屏的智能座艙。PI3USB31532Q 支持三種符合 U
- 關(guān)鍵字: Diodes 交叉開(kāi)關(guān) USB-C
適用于車(chē)載信息娛樂(lè )系統的高效且實(shí)惠的USB電力輸送
- 盡管USB Type-C?主要作為筆記本電腦、平板電腦和智能手機的新一代、更快充電標準而為人所熟知,但在電力輸送和連接應用領(lǐng)域也變得日益普及。USB Type-C 的速度和效率非常高:隨著(zhù) USB 電力輸送 (USB PD) R3.1 規范的發(fā)展,一個(gè) USB Type-C 連接器便可支持高達 240W(48V 和 5A)的功率,相較于 USB Std-A 連接器的 7.5W(5V 和 1.5A),這是一個(gè)顯著(zhù)的提升。USB Type-C 的廣泛采用并非偶然,歐盟、印度、巴西和韓國紛紛制定并實(shí)施了相關(guān)規定
- 關(guān)鍵字: 202406 車(chē)載信息娛樂(lè ) USB PD 電力輸送 德州儀器
Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現在又重申了這一路線(xiàn),尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝,在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發(fā)布,其中前者首次采用純E核設計,最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字: 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng),三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項目晶圓)的方式進(jìn)行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元(當前約 52.8 億元人民幣)的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
- 關(guān)鍵字: 三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝
Diodes公司的自適應USB 2.0信號調節器IC可節能并簡(jiǎn)化系統設計
- Diodes?公司?(Diodes)近日宣布推出?USB 2.0?信號調節器產(chǎn)品PI5USB212,可在供電電壓低至?2.3V?的狀態(tài)下工作。PI5USB212?設計用于筆記本電腦、個(gè)人計算機、擴充塢、延長(cháng)線(xiàn)、電視及顯示器,能自動(dòng)檢測?USB 2.0?高速傳輸。在?PCB?走線(xiàn)或數據線(xiàn)延長(cháng)至?5?米時(shí)亦可保持信號完整性。此款?IC?對稱(chēng)升壓?USB
- 關(guān)鍵字: Diodes公司 USB 2.0信號調節器
臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前,臺積電發(fā)布了 2023 年年報,但顯然,文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前,我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14,或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布,該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代",開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前,臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此,1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走,很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現,這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
usb pd3.1 epr介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條usb pd3.1 epr!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對usb pd3.1 epr的理解,并與今后在此搜索usb pd3.1 epr的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對usb pd3.1 epr的理解,并與今后在此搜索usb pd3.1 epr的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
